强国，如果受制于人就非常被动了。
所以，陈立东还想进一步摸索切片工艺。
那份研究中心给的资料，虽然没有做硅片的实验资料，但也提出了加工晶圆硅片的方法路径，缺少的只是机械设备和实际操作的经验。
机械设备对系统之主来说不是问题，只要在这个世界出现了的，在被系统更新信息收集到的，就能在设备兑换平台中找到。
所以，陈地忠按照老板的要求，开始了加工晶圆硅片的实验。
将硅棒切片做成硅片，大体有10个步骤：
首先拉出来的硅棒会被截去硅头、硅尾，切下来的硅头、硅尾会被削成晶种，去拉新的硅棒，实现硅棒生产的无限套娃。
别笑，笑出声的小伙伴请蹲地上绕三圈。
接下来用四探针法测量棒身的电阻率，用来检查轴向的杂质浓度是否异常。
四探针就是四根金属探针，想了解的小伙伴自己去某度查。
检测完成后，陈地忠将硅棒裁成30厘米长度的硅段，进入下第2道工序：滚磨。
顾名思义，滚磨就是将硅段固定在机器上，让其滚动，用侧面的金刚石砂轮对棒身进行打磨。
由于直拉法无法精确地控制晶体生长获得一个完美的圆柱体，所以得先拉出一个粗一点的硅棒，再通过滚磨得到想要的目标尺寸。
硅棒与金刚石砂轮的剧烈摩擦会大量发热，需要持续加水降温。
滚磨完成后，要在硅段侧面再磨出一个平面或者一道沟槽，这就是以后硅片上的定位边或定位槽，光刻机需要通过它们来对硅片进行最开始的定位和校准。
在业界，定位边还有一个小作用，就是标注硅片的类型和晶向。
接下来是第3步，把硅段切片。
研究中心推荐了某种型号的内圆切割机。这种切割机是一种带有环形刀片的铡刀，就像切火腿一样切割硅棒。
切割机的优点是切割稳定、切面平整；缺点是效率低、一次只能切一片；而且由于刃口较厚，切割时损耗的硅料较多，不适合处理相对更薄的大尺寸硅片。
所以，陈立东提出的切片方式是使用金刚线的多线切割机，也就是用上面固定有金刚石颗粒的钢丝线，同时对硅段进行多段切割。
这种线切法虽然不如传统刀片稳定，后续硅片打磨的时间也更长，但胜在切割效率高、损耗低。
追读的书友们一定知道，东华早就研究出了纳米级的金刚石，开发出了系列金刚石切割工具。
现在，陈地忠就在实验金刚石钢丝线切割硅棒的效果。
第4步，打磨硅片。
切下来的硅片，再进行一遍机械打磨，让表面更加平整，同时让整体变薄，通过磨片将厚度减到700微米左右。
进入第5步，磨边处理。
主要是通过倒角机把硅片边缘的直角边磨成圆弧形
。
倒角机是一种常见的精密研磨设备，模具制造、五金加工中经常用到，有手提式、自走式、台床式的。
而加工硅片的倒角机一般称作晶圆倒角机，更加精密，价格更高，但其原理是一样的。
给硅片磨边，是因为高纯度硅是一种脆性很高的材料，磨边处理可以降低边缘处发生崩裂的风险。
圆弧状的边角在后续的芯片制造工艺中有两个好处，一是在光刻时光刻胶是通过旋转的方式涂抹在硅片表面上的，如果边缘是直角边光刻胶容易因为离心力在边缘处累积，造成厚度不均，从而影响光刻；二是在做外延生长时沉积物也会优先堆积在直角边，影响沉积效果，做成圆弧状的边，就可以消除边缘沉积的现象。
磨片和和倒角完成后，进行第6步：硅片精磨。
使用的机械是硅片研磨机，陈地忠将硅片放到机器的研磨盘上，研磨盘逆时钟转动，修正轮带动工件自转，机械开始靠重力加压，工件与研磨盘作相对运转磨擦，来达到研磨抛光目的。
经过这次精磨，大约去除了10微米左右的厚度，然后放入溶剂中进行第7步：化学刻蚀。
资料推荐使用氢硝酸和氢氟酸，腐蚀掉表面约20到50微米左右的厚度，这样做的目的是去除之前打磨过程中硅片积累的机械损伤，以及混入硅片表层的磨料。
到这里，经过一系列的打磨和刻蚀之后，硅片表面已经很光滑了，但用来制造芯片还不够光滑，因为在之后需要光刻机把图形投影到硅片上。
光刻投影可以类比投影看电影，如果投影幕布不够平整，有起伏的倾角或者局部的凹凸，那投射上去的影像就会变形失真，影响观看体验。
在光刻时硅片就相当于幕布，光刻的图像尺寸和精度都是纳米级的，所以要求硅片表面是一个完美的平面，一点点起伏参差或者局部凹凸都会影响光刻效果。
根据资料中的建议，1